低コストでありながら、高品質な半導体の結晶成長を行うことができます。
単一電極方式を採用することで、プロセスチャンバーの容積を小さくしつつ、
ロードロック機構を備え、超高真空（10-8 Pa 以下）の到達圧力を達成しています。
また、単一電極でありながらマルチターゲットプロセスが可能であり、
独自の加熱構造により、プロセス温度を大幅に変化させることが可能となり、
通常のスパッタリング装置では難しい、多品種/高品質なプロセスを可能としています。
| 装置概要 |
|---|
| ・多品種・多層薄膜の連続形成が可能 （マルチターゲット方式） |
| ・単一電極方式を採用 |
| ・ターゲット材料を連続的に交換可能 |
| ・到達圧力は10-8 Pa 以下 |
| ・1200°Cの高温成長が可能 |
| ・真空チャンバーの小型化を実現 |
| ・低環境負荷の成長法 |
本研究室では, この装置を用いて以下の化合物半導体材料の合成と
その応用デバイスのについて研究を行っています。
