本研究グループは、Ⅵ族元素である硫黄（元素記号：S）と
Ⅱ族元素の亜鉛（Zn）を用いた半導体薄膜を成長し、評価検討を行っています。
また、触媒金属などの添加も行った薄膜の成長も検討しています。

〇　アプリケーション
Ⅱ-Ⅵ族系の半導体材料は、発光デバイス向けの研究として、
古くから研究されていました。現在でも、無機ELや
放射線検出（シンチレータ）、蓄光材、赤外線域の光学材料
として利用されています。

〇　製造方法
CVD法やスパッタリング法などが一般的ですが、
通常では多結晶の薄膜となり、品質は低くなります。

〇　研究内容
本研究では、硫化物半導体を作製することを目的としています。
スパッタリング法を用いて、高品質な単結晶半導体を作製しています。

〇　半導体薄膜の作製
これまでに、以下のような半導体薄膜の作製した実績があります。

・ZnS(with Wurtzite, with Zinc Blende) ・Ag doped ZnS