本研究グループは、Ⅵ族元素である（元素記号：O）と
亜鉛（Zn）、マグネシウム（Mg）等、Ⅲ族元素を用いた
半導体薄膜を成長し、評価/検討をおこない、
所望の特性を得るための成長条件の検討を行っています。

また、作製した半導体薄膜を用いたセンサデバイスなどの
作製や評価/検討なども行っています。

〇　アプリケーション
酸化物半導体は、センサや液晶ディスプレイの電極などで
古くから研究が行われていた材料です。
その材料特性から、近年では発光ダイオードや
パワーデバイスなどへの応用が期待されています。

〇　製造方法
真空蒸着法やゾル-ゲル法、スパッタリング法などが一般的です。
しかしながら、いずれの方法でも安価かつ高品質の半導体が
得られたという研究報告はありません。 

〇　研究内容
本研究では、スパッタリング法を用いて、
安価にデバイスグレードの半導体を作製しています。

〇　半導体薄膜の作製
これまでに、以下のような半導体薄膜の作製した実績があります。

・ZnO ・ZnMgO ・MgO ・Ga doped ZnO ・N doped ZnO

〇　各種センサへの応用
水素検出や光センサなどとしてデバイス化を行い、動作を確認しています。